Samsung готовится к новому витку в производстве чипов с системами High-NA EUV от ASML
Samsung делает большой шаг вперёд в области полупроводников и планирует установить две литографические установки High-NA EUV от компании ASML уже в первой половине 2026 года. Эти новые аппараты дополнят уже работающую в исследовательском центре Hwaseong систему TWINSCAN EXE:5000, которую Samsung использовала для ранних экспериментов и отработки технологических процессов. Теперь же с появлением моделей TWINSCAN EXE:5200B, ориентированных на массовое производство, компания стремится ускорить переход к передовым технологическим нормам.
Когда ждать новые установки и почему они важны
По данным аналитиков TrendForce, первая установка EXE:5200B попадёт на завод Samsung уже во второй половине 2025 года, а вторая — ожидается в начале 2026-го. Эта модель — первая на коммерческом рынке, которая предлагает полноценное решение High-NA (высокое числовое апертура) EUV-литографии для массового изготовления микросхем. ASML уже представила прототипы этого оборудования: Intel использовала его в 2023 году, а TSMC — в середине 2024. В конце 2023-го такая же установка появилась и у SK Hynix на их фабрике M16, где её применяют для передового производства DRAM памяти, что отлично показывает растущую популярность и востребованность технологии.
Что это значит для Samsung и индустрии в целом
Внедрение High-NA EUV-технологии становится ключевым элементом стратегического плана Samsung по освоению 2-нанометрового технологического процесса. По имеющейся информации, с помощью новых литографических систем компания планирует выпускать процессоры Exynos 2600, а также разрабатывать следующий поколение AI-ускорителей для Tesla. Новые инструменты позволят также совершенствовать разработку памяти — в частности, DRAM с вертикальными каналами транзисторов (Vertical Channel Transistor, VCT), которые уже рассматриваются как замена привычным плоским транзисторам в будущих поколениях чипов.
Сколько стоит прогресс и чего ждать в будущем
Каждая установка TWINSCAN EXE:5200B стоит примерно 386 миллионов долларов, что в сумме составляет инвестиций около 773 миллионов долларов — огромные вложения, отражающие стоимость внедрения передовых технологий. Но преимущества оправдывают затраты: высокая числовая апертура (0,55 NA против традиционных 0,33 NA) обеспечивает более точное нанесение микросхемных узоров, что позволяет уменьшить размеры элементов, снизить количество сложных операций многошагового паттернинга и увеличить общую производительность и выход годных изделий при работе с техпроцессами ниже 2 нанометров.
Доступность в России и перспективы для отечественного рынка
Пока нигде официально не объявлено о поставках подобных оборудования в Россию — ввиду международных ограничений и высокой стоимости, российские производители микросхем пока вряд ли смогут рассчитывать на прямой доступ к этим технологиям в ближайшие годы. Однако для российских IT-специалистов и энтузиастов это важный знак: развитие High-NA EUV — это новый этап эволюции полупроводников, который в конечном итоге повлияет на качество и производительность электронных устройств по всему миру, включая и российский рынок.
Экспертное мнение
Внедрение High-NA EUV от ASML радикально меняет правила игры. Высокая разрешающая способность этих систем открывает путь к более тонким и мощным чипам, что критично для искусственного интеллекта, мобильных процессоров и памяти следующего поколения. Samsung, один из мировых лидеров в производстве чипов, благодаря этому шагу сможет удержать конкуренцию с TSMC и Intel, которые уже тестируют аналогичные технологии. Для конечного пользователя это значит более быстрые, энергоэффективные и функциональные устройства в ближайшие годы.
